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4200系列

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4200系列

產品名稱: 半導體特性分析

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4200-SCS半導體特性分析儀采用了模塊化、可配置、可升級的架構。這使得它能夠準確滿足當前的測量需求,也可以模塊擴展以滿足后續的需求。它的工作原理為:
它可以支持多達9個精密直流源-測量單元能夠提供和測量0.1fA到1A的電流或者1μV-210V的電壓;
1、利用4210-CVU(C-V)模塊可以方便的在1KHz-10MHz測試頻率下進行交流阻抗測試。可以測量的電容范圍從aF級到μF級;
2、利用可選的4225-PMU超快I-V模塊可以進行脈沖和瞬態測量。
通過這些模塊的組合,來對多端口半導體器件的電學參數進行測試和分析。
    吉時利交互式測試環境(KITE)提供了一套完整的圖形用戶界面,無需編程即可支持幾乎所有類型的特性分析測試。它提供了多達456種標準的特性分析測試庫,包括MOSFET,BJT晶體管、二極管、電阻器、電容器、太陽能電池、碳納米管和NVM存儲器,例如Flash、PRAM,PCRAM等。
硬件測量指標
直流源測量單元指標 (SMU指標)
4200提供2種SMU單元選項:
1、4200-SMU(中功率) 最大電壓 210V,最大電流100mA,最大功率2.2W;
2、4210-SMU(高功率) 最大電壓210V,最大電流1A,最大功率22W
電流指標:(其中1A量程為4210-SMU指標,10nA-1pA量程需要外接4200-PA電流前置放大器單元)225-PMU脈沖測量單元介紹
    隨著納米技術的不斷發展,出現了新型材料(高K,SOI等),越來越小的器件尺寸和越來越快的工作速度,這些高新技術的結合使得對納米結構的特性分析變得越來越富于挑戰性。傳統的DC I-V技術可能會導致器件的一些自熱效應,從而會影響器件的性能。為了減少自熱效應的影響,4200-SCS半導體特性分析儀提供了脈沖I-V測試的擴展能力,它可以與DC測試結合,從而能得出更為精準的測試結果。
    4200-SCS提供了4225-PMU快速脈沖測量單元,它集成了高速雙通道脈沖發生器和雙通道數字示波器,4225-PMU超快I-V模塊是4200-SCS半導體特性分析儀的最新的測量模塊選項。它把超快速的電壓波形產生和信號觀察能力集成在4200-SCS已經有的強大測試環境,提供了前所未有的I-V測試性能,極大地擴展了4200-SCS對材料,器件和工藝的特性分析能力。同樣重要的是,它使得超快的I-V源和測量過程和使用傳統高分辨率SMU單元進行DC測量的過程是一樣的簡單。
    每一個4225-PMU模塊提供了2個通道,每個通道都集成了源和測量能力,但只占用4200-SCS機箱中的一個插槽。和業界其解決方案的不同的是,4225-PMU的每個通道將高速電壓輸出(脈沖寬度從60ns至DC)和電流電壓參數的同步測量結合在一起。有了這樣的超高速電壓源,電壓和電流測量的組合能力,現有的4200-SCS系統可以很容易地升級到一個靈活的為超高速I-V測試廣泛應用的測量工具。每個4200-SCS機箱能夠容納4塊4225-PMU模塊,最多可以有8路超快源和測量通道。
主要應用領域:
1、超快的I-V測量;
2、脈沖I-V和瞬態I-V測量;
3、Flash,PCRAM,以及非揮發性存儲器測試;
4、中等尺寸功率器件的隔熱測試;
5、CMOS器件測試,比如高K電介質;
6、NBTI/PBTI可靠性測試。
主要技術指標:
1、系統脈沖發生器頻率:50MHz-1Hz;
2、系統最小脈沖發生器寬度:[email protected][email protected]
3、脈沖I-V模式下,測量Id-Vg參數的最小脈寬為[email protected][email protected]
4、最大脈沖電壓:80V P-P,-40V—40V;
5、最大電流:800mA;電流量程:100nA,1uA,10uA,100uA,1mA,10mA,200mA,800mA;
6、電流測量分辨率:10pA;
7、電流測量精度:0.5%+1nA;
8、可同時測量I和V,采樣率200M/s;
9、多個PMU模塊的同步時間<3ns;
測試庫支持:
最新的KTEI軟件包括了很多的標準超快I-V測試庫,包括對器件的隔熱脈沖I-V的特性分析,對MOSFET的電荷陷阱的瞬態效應得特性分析,以及電荷泵,電阻,二極管,電容,閃存和太陽電池的測試庫。測試庫還提供了例程,說明如何使用內置波形和任意波形發生器(ARB)的設定段,以及對可選的4225-RPM遠端放大器/開關的使用例程。

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